IXTN110N20L2
Modul; jeden tranzistor; 200V; 100A; SOT227B; přišroubováním; 735W
Výrobce: IXYS
Označení výrobce:
IXTN110N20L2
Symbol TME:
IXTN110N20L2
Specifikace
Výrobce | IXYS | |
Typ polovodičového modulu | tranzistorový MOSFET | |
Struktura polovodiče | jeden tranzistor | |
Napětí drain-source | 200V | |
Proud drainu | 100A | |
Kryt | SOT227B | |
Elektrická montáž | přišroubováním | |
Polarizace | unipolární | |
Odpor v sepnutém stavu | 24mΩ | |
Impulsní proud kolektoru | 275A | |
Ztrátový výkon | 735W | |
Technologie | Linear L2™ | |
Druh kanálu | obohacený | |
Náboj hradla | 500nC | |
Doba zotavení | 420ns | |
Napětí gate-source | ±30V | |
Mechanická montáž | přišroubováním |
Hmotnost brutto30 g
Certifikáty
Prohlédněte si ostatní výrobky z této kategorie: Transistor modules IXYS,
* IXTN110N20L2Počet kusů (Násobnost: 1)
0 skladem v TME
Čistá cena pro množství od 1 ks - 46.81 EURHrubá cena pro množství od 1 ks - 56.63 EUR
Čistá cena pro množství od 5 ks - 44.19 EURHrubá cena pro množství od 5 ks - 53.46 EUR
Čistá cena pro množství od 10 ks - 39.39 EURHrubá cena pro množství od 10 ks - 47.67 EUR
Čistá cena pro množství od 100 ks - 36.92 EURHrubá cena pro množství od 100 ks - 44.67 EUR