IXTN170P10P
Modul; jeden tranzistor; -100V; -170A; SOT227B; přišroubováním
Výrobce: IXYS
Označení výrobce:
IXTN170P10P
Symbol TME:
IXTN170P10P
Specifikace
Výrobce | IXYS | |
Typ polovodičového modulu | tranzistorový MOSFET | |
Struktura polovodiče | jeden tranzistor | |
Napětí drain-source | -100V | |
Proud drainu | -170A | |
Kryt | SOT227B | |
Elektrická montáž | přišroubováním | |
Polarizace | unipolární | |
Odpor v sepnutém stavu | 14mΩ | |
Impulsní proud kolektoru | -510A | |
Ztrátový výkon | 890W | |
Technologie | PolarP™ | |
Druh kanálu | obohacený | |
Náboj hradla | 240nC | |
Doba zotavení | 176ns | |
Napětí gate-source | ±30V | |
Mechanická montáž | přišroubováním |
Hmotnost brutto30 g
Certifikáty
Prohlédněte si ostatní výrobky z této kategorie: Transistor modules IXYS,
* IXTN170P10PPočet kusů (Násobnost: 300)
0 skladem v TME
Produkt na zvláštní objednávku