IXTN200N10L2
Modul; jeden tranzistor; 100V; 178A; SOT227B; přišroubováním; 830W
Výrobce: IXYS
Označení výrobce:
IXTN200N10L2
Symbol TME:
IXTN200N10L2
Specifikace
Výrobce | IXYS | |
Typ polovodičového modulu | tranzistorový MOSFET | |
Struktura polovodiče | jeden tranzistor | |
Napětí drain-source | 100V | |
Proud drainu | 178A | |
Kryt | SOT227B | |
Elektrická montáž | přišroubováním | |
Polarizace | unipolární | |
Odpor v sepnutém stavu | 11mΩ | |
Impulsní proud kolektoru | 500A | |
Ztrátový výkon | 830W | |
Technologie | Linear L2™ | |
Druh kanálu | obohacený | |
Náboj hradla | 540nC | |
Doba zotavení | 245ns | |
Napětí gate-source | ±30V | |
Mechanická montáž | přišroubováním |
Hmotnost brutto29.6 g
Certifikáty
Prohlédněte si ostatní výrobky z této kategorie: Transistor modules IXYS,
* IXTN200N10L2Počet kusů (Násobnost: 1)
0 skladem v TME
Čistá cena pro množství od 1 ks - 45.46 EURHrubá cena pro množství od 1 ks - 55.00 EUR
Čistá cena pro množství od 100 ks - 40.27 EURHrubá cena pro množství od 100 ks - 48.73 EUR
Způsob balení výrobcemTuba = 20 ks