IXTN200N10T
Modul; jeden tranzistor; 100V; 200A; SOT227B; přišroubováním; 550W
Výrobce: IXYS
Označení výrobce:
IXTN200N10T
Symbol TME:
IXTN200N10T
Specifikace
Výrobce | IXYS | |
Typ polovodičového modulu | tranzistorový MOSFET | |
Struktura polovodiče | jeden tranzistor | |
Napětí drain-source | 100V | |
Proud drainu | 200A | |
Kryt | SOT227B | |
Elektrická montáž | přišroubováním | |
Polarizace | unipolární | |
Odpor v sepnutém stavu | 5,5mΩ | |
Impulsní proud kolektoru | 500A | |
Ztrátový výkon | 550W | |
Technologie | TrenchMV™ | |
Druh kanálu | obohacený | |
Náboj hradla | 152nC | |
Doba zotavení | 76ns | |
Napětí gate-source | ±30V | |
Mechanická montáž | přišroubováním |
Hmotnost brutto37.01 g
Certifikáty
Prohlédněte si ostatní výrobky z této kategorie: Transistor modules IXYS,
* IXTN200N10TPočet kusů (Násobnost: 1)
0 skladem v TME
Čistá cena pro množství od 1 ks - 41.99 USDHrubá cena pro množství od 1 ks - 50.81 USD
Čistá cena pro množství od 3 ks - 37.12 USDHrubá cena pro množství od 3 ks - 44.91 USD
Čistá cena pro množství od 10 ks - 33.29 USDHrubá cena pro množství od 10 ks - 40.28 USD
Způsob balení výrobcemTuba = 10 ks