IXTN210P10T
Modul; jeden tranzistor; -100V; -210A; SOT227B; přišroubováním
Výrobce: IXYS
Označení výrobce:
IXTN210P10T
Symbol TME:
IXTN210P10T
Specifikace
Výrobce | IXYS | |
Typ polovodičového modulu | tranzistorový MOSFET | |
Struktura polovodiče | jeden tranzistor | |
Napětí drain-source | -100V | |
Proud drainu | -210A | |
Kryt | SOT227B | |
Elektrická montáž | přišroubováním | |
Polarizace | unipolární | |
Odpor v sepnutém stavu | 7,5mΩ | |
Impulsní proud kolektoru | -800A | |
Ztrátový výkon | 830W | |
Technologie | TrenchP™ | |
Druh kanálu | obohacený | |
Náboj hradla | 740nC | |
Doba zotavení | 200ns | |
Napětí gate-source | ±15V | |
Mechanická montáž | přišroubováním |
Hmotnost brutto37.13 g
Prohlédněte si ostatní výrobky z této kategorie: Transistor modules IXYS,
* IXTN210P10TPočet kusů (Násobnost: 1)
0 skladem v TME
Čistá cena pro množství od 1 ks - 48.31 USDHrubá cena pro množství od 1 ks - 58.45 USD
Čistá cena pro množství od 10 ks - 45.27 USDHrubá cena pro množství od 10 ks - 54.77 USD
Způsob balení výrobcemTuba = 10 ks