IXTN30N100L
Modul; jeden tranzistor; 1kV; 30A; SOT227B; přišroubováním; 800W
Výrobce: IXYS
Označení výrobce:
IXTN30N100L
Symbol TME:
IXTN30N100L
Specifikace
Výrobce | IXYS | |
Typ polovodičového modulu | tranzistorový MOSFET | |
Struktura polovodiče | jeden tranzistor | |
Napětí drain-source | 1kV | |
Proud drainu | 30A | |
Kryt | SOT227B | |
Elektrická montáž | přišroubováním | |
Polarizace | unipolární | |
Odpor v sepnutém stavu | 0,45Ω | |
Impulsní proud kolektoru | 70A | |
Ztrátový výkon | 800W | |
Technologie | Linear™ | |
Druh kanálu | obohacený | |
Náboj hradla | 545nC | |
Doba zotavení | 1µs | |
Napětí gate-source | ±40V | |
Mechanická montáž | přišroubováním |
Hmotnost brutto30 g
Certifikáty
Prohlédněte si ostatní výrobky z této kategorie: Transistor modules IXYS,
* IXTN30N100L
0 skladem v TME
Počet kusů (Násobnost: 1)
Čistá cena pro množství od 1 ks - 101.55 USDHrubá cena pro množství od 1 ks - 122.87 USD
Čistá cena pro množství od 3 ks - 91.43 USDHrubá cena pro množství od 3 ks - 110.62 USD
Čistá cena pro množství od 10 ks - 80.75 USDHrubá cena pro množství od 10 ks - 97.70 USD