IXTN32P60P
Modul; jeden tranzistor; -600V; -32A; SOT227B; přišroubováním
Výrobce: IXYS
Označení výrobce:
IXTN32P60P
Symbol TME:
IXTN32P60P
Specifikace
Výrobce | IXYS | |
Typ polovodičového modulu | tranzistorový MOSFET | |
Struktura polovodiče | jeden tranzistor | |
Napětí drain-source | -600V | |
Proud drainu | -32A | |
Kryt | SOT227B | |
Elektrická montáž | přišroubováním | |
Polarizace | unipolární | |
Odpor v sepnutém stavu | 0,35Ω | |
Impulsní proud kolektoru | -96A | |
Ztrátový výkon | 890W | |
Technologie | PolarP™ | |
Druh kanálu | obohacený | |
Náboj hradla | 196nC | |
Doba zotavení | 480ns | |
Napětí gate-source | ±30V | |
Mechanická montáž | přišroubováním |
Hmotnost brutto38.3 g
Certifikáty
Prohlédněte si ostatní výrobky z této kategorie: Transistor modules IXYS,
* IXTN32P60PPočet kusů (Násobnost: 1)
0 skladem v TME
Čistá cena pro množství od 1 ks - 39.91 EURHrubá cena pro množství od 1 ks - 48.29 EUR
Čistá cena pro množství od 3 ks - 35.90 EURHrubá cena pro množství od 3 ks - 43.44 EUR
Čistá cena pro množství od 10 ks - 31.71 EURHrubá cena pro množství od 10 ks - 38.36 EUR
Produkt těžko dostupný
Způsob balení výrobcemTuba = 10 ks