IXTN550N055T2
Modul; jeden tranzistor; 55V; 550A; SOT227B; přišroubováním; 940W
Výrobce: IXYS
Označení výrobce:
IXTN550N055T2
Symbol TME:
IXTN550N055T2
Specifikace
Výrobce | IXYS | |
Typ polovodičového modulu | tranzistorový MOSFET | |
Struktura polovodiče | jeden tranzistor | |
Napětí drain-source | 55V | |
Proud drainu | 550A | |
Kryt | SOT227B | |
Elektrická montáž | přišroubováním | |
Polarizace | unipolární | |
Odpor v sepnutém stavu | 1,3mΩ | |
Impulsní proud kolektoru | 1,65kA | |
Ztrátový výkon | 940W | |
Technologie | GigaMOS™, TrenchT2™ | |
Druh kanálu | obohacený | |
Náboj hradla | 595nC | |
Doba zotavení | 100ns | |
Napětí gate-source | ±30V | |
Mechanická montáž | přišroubováním |
Hmotnost brutto35.71 g
Certifikáty
Prohlédněte si ostatní výrobky z této kategorie: Transistor modules IXYS,
* IXTN550N055T2Počet kusů (Násobnost: 1)
0 skladem v TME
Čistá cena pro množství od 1 ks - 40.11 USDHrubá cena pro množství od 1 ks - 48.53 USD
Čistá cena pro množství od 10 ks - 37.32 USDHrubá cena pro množství od 10 ks - 45.15 USD
Způsob balení výrobcemTuba = 10 ks