+1 500 000 výrobků v nabídce
6000 každodenně balíků
+300 000 zákazníků ze 150 zemí
POZOR: Změna bankovního účtu TME Czech Republic s.r.o.
Zde se dozvíte víceKontaktujte svého zástupce u TME. Požádejte o schůzku.
Výrobce | IXYS | |
Typ polovodičového modulu | tranzistorový MOSFET | |
Struktura polovodiče | jeden tranzistor | |
Napětí drain-source | 40V | |
Proud drainu | 600A | |
Kryt | SOT227B | |
Elektrická montáž | přišroubováním | |
Polarizace | unipolární | |
Odpor v sepnutém stavu | 1,3mΩ | |
Impulsní proud kolektoru | 1,8kA | |
Ztrátový výkon | 940W | |
Technologie | GigaMOS™, TrenchT2™ | |
Druh kanálu | obohacený | |
Náboj hradla | 590nC | |
Doba zotavení | 100ns | |
Napětí gate-source | ±30V | |
Mechanická montáž | přišroubováním |