IXTN8N150L
Modul; jeden tranzistor; 1,5kV; 7,5A; SOT227B; přišroubováním
Výrobce: IXYS
Označení výrobce:
IXTN8N150L
Symbol TME:
IXTN8N150L
Specifikace
Výrobce | IXYS | |
Typ polovodičového modulu | tranzistorový MOSFET | |
Struktura polovodiče | jeden tranzistor | |
Napětí drain-source | 1,5kV | |
Proud drainu | 7,5A | |
Kryt | SOT227B | |
Elektrická montáž | přišroubováním | |
Polarizace | unipolární | |
Odpor v sepnutém stavu | 3,6Ω | |
Impulsní proud kolektoru | 20A | |
Ztrátový výkon | 545W | |
Technologie | Linear™ | |
Druh kanálu | obohacený | |
Náboj hradla | 250nC | |
Doba zotavení | 1,7µs | |
Napětí gate-source | ±40V | |
Mechanická montáž | přišroubováním |
Hmotnost brutto30 g
Certifikáty
Prohlédněte si ostatní výrobky z této kategorie: Transistor modules IXYS,
* IXTN8N150LPočet kusů (Násobnost: 300)
0 skladem v TME
Produkt na zvláštní objednávku