+1 500 000 výrobků v nabídce

7000 každodenně balíků

+300 000 zákazníků ze 150 zemí

Volejte +420 596 633 105

Registrace

Quick Buy Oblíbené

POZOR: Změna bankovního účtu TME Czech Republic s.r.o.

Zde se dozvíte více

Kontaktujte svého zástupce u TME. Požádejte o schůzku.

Data se zpracovávají

Váš kreditní limit byl překročen. Objednávka bude přijata, ale nebude realizována. Nebude také stanoven harmonogram dodávek pro objednané položky. Kontaktujte zaměstnance TME.

Operace proběhla úspěšně.

Došlo k neočekávané chybě. Zkuste znovu.

Výrobce	STARPOWER SEMICONDUCTOR
Typ polovodičového modulu	tranzistorový MOSFET
Struktura polovodiče	tranzistor/tranzistor
Napětí drain-source	1,2kV
Proud drainu	300A
Kryt	B3.7
Topologie	polomůstek MOSFET
Elektrická montáž	konektory FASTON, přišroubováním
Odpor v sepnutém stavu	7,5mΩ
Impulsní proud kolektoru	1,096kA
Technologie	SiC
Napětí gate-source	±20V
Mechanická montáž	přišroubováním

MD300HFR120B3S

Modul; tranzistor/tranzistor; 1,2kV; 300A; B3.7; Idm: 1,096kA; SiC

Specifikace