MID75-12A3
Modul: IGBT; dioda/tranzistor; boost chopper; Urmax: 1,2kV; Ic: 60A
Výrobce: IXYS
Označení výrobce:
MID75-12A3
Symbol TME:
MID75-12A3
Specifikace
Výrobce | IXYS | |
Typ polovodičového modulu | IGBT | |
Struktura polovodiče | dioda/tranzistor | |
Topologie | boost chopper | |
Max. závěrné napětí | 1,2kV | |
Proud kolektoru | 60A | |
Kryt | Y4-M5 | |
Elektrická montáž | konektory FASTON, přišroubováním | |
Napětí hradlo - emitor | ±20V | |
Impulsní proud kolektoru | 400A | |
Ztrátový výkon | 370W | |
Mechanická montáž | přišroubováním |
Hmotnost brutto111.5 g
Certifikáty
Prohlédněte si ostatní výrobky z této kategorie: Moduly IGBT IXYS
* MID75-12A3Použijte níže uvedenou tabulku specifikací pro vyhledání podobných výrobků
Výrobek stažený z nabídky