+1 500 000 výrobků v nabídce

7000 každodenně balíků

+300 000 zákazníků ze 150 zemí

Quick Buy Oblíbené
Košík

POZOR: Změna bankovního účtu TME Czech Republic s.r.o.

Zde se dozvíte více

Kontaktujte svého zástupce u TME. Požádejte o schůzku.

NXH007F120M3F2PTHG

Modul; tranzistor/tranzistor; 1,2kV; 149A; PIM34; Press-in PCB


Výrobce: ONSEMI

Označení výrobce:
NXH007F120M3F2PTHG
Symbol TME:
NXH007F120M3F2PTHG

Specifikace

Výrobce
ONSEMI
Typ polovodičového modulu
tranzistorový MOSFET
Struktura polovodiče
tranzistor/tranzistor
Napětí drain-source
1,2kV
Proud drainu
149A
Kryt
PIM34
Topologie
můstek H
Elektrická montáž
Press-in PCB
Odpor v sepnutém stavu
15,9mΩ
Impulsní proud kolektoru
447A
Ztrátový výkon
353W
Technologie
SiC
Napětí gate-source
-10...22V
Druh balení
blistr
Mechanická montáž
přišroubováním
Hmotnost brutto100 g
Certifikáty
Prohlédněte si ostatní výrobky z této kategorie: Transistor modules ONSEMI,
*
NXH007F120M3F2PTHG
0 skladem v TME
Čistá cena pro množství od 20 ks - 168.85 USDHrubá cena pro množství od 20 ks - 204.31 USD
Počet kusů (Násobnost: 20)
Minimální množství, které je možné objednat: 20.
Násobnost: 20.