+1 500 000 výrobků v nabídce

7000 každodenně balíků

+300 000 zákazníků ze 150 zemí

Quick Buy Oblíbené
Košík

POZOR: Změna bankovního účtu TME Czech Republic s.r.o.

Zde se dozvíte více

Kontaktujte svého zástupce u TME. Požádejte o schůzku.

NXH010P120M3F1PG

Modul; tranzistor/tranzistor; 1,2kV; 105A; PIM18; Press-in PCB


Výrobce: ONSEMI

Označení výrobce:
NXH010P120M3F1PG
Symbol TME:
NXH010P120M3F1PG

Specifikace

Výrobce
ONSEMI
Typ polovodičového modulu
tranzistorový MOSFET
Struktura polovodiče
tranzistor/tranzistor
Napětí drain-source
1,2kV
Proud drainu
105A
Kryt
PIM18
Topologie
polomůstek MOSFET
Elektrická montáž
Press-in PCB
Odpor v sepnutém stavu
24,5mΩ
Impulsní proud kolektoru
316A
Ztrátový výkon
272W
Technologie
SiC
Napětí gate-source
-10...22V
Druh balení
blistr
Mechanická montáž
přišroubováním
Hmotnost brutto100 g
Certifikáty
Prohlédněte si ostatní výrobky z této kategorie: Transistor modules ONSEMI,
*
NXH010P120M3F1PG
0 skladem v TME
Čistá cena pro množství od 28 ks - 64.29 GBPHrubá cena pro množství od 28 ks - 77.79 GBP
Počet kusů (Násobnost: 28)
Minimální množství, které je možné objednat: 28.
Násobnost: 28.