+1 500 000 výrobků v nabídce

7000 každodenně balíků

+300 000 zákazníků ze 150 zemí

Quick Buy Oblíbené
Košík

POZOR: Změna bankovního účtu TME Czech Republic s.r.o.

Zde se dozvíte více

Kontaktujte svého zástupce u TME. Požádejte o schůzku.

NXV08A170DB2

Modul; tranzistor/tranzistor; 80V; 200A; APM12-CBA; THT; Ugs: ±20V


Výrobce: ONSEMI

Označení výrobce:
NXV08A170DB2
Symbol TME:
NXV08A170DB2

Specifikace

Výrobce
ONSEMI
Typ polovodičového modulu
tranzistorový MOSFET
Struktura polovodiče
tranzistor/tranzistor
Napětí drain-source
80V
Proud drainu
200A
Kryt
APM12-CBA
Topologie
polomůstek MOSFET
Elektrická montáž
THT
Odpor v sepnutém stavu
2,4mΩ
Napětí gate-source
±20V
Druh balení
blistr
Mechanická montáž
přišroubováním
Hmotnost brutto100 g
Certifikáty
Prohlédněte si ostatní výrobky z této kategorie: Transistor modules ONSEMI,
*
NXV08A170DB2
0 skladem v TME
Čistá cena pro množství od 288 ks - 15.63 USDHrubá cena pro množství od 288 ks - 18.91 USD
Počet kusů (Násobnost: 288)
Minimální množství, které je možné objednat: 288.
Násobnost: 288.