+1 500 000 výrobků v nabídce

6000 každodenně balíků

+300 000 zákazníků ze 150 zemí

Quick Buy Oblíbené
Košík

Oznamujeme, že dne 12.07.2026 v 08:00 -11:00 (CEST) hod. se mohou vyskytnout problémy s přístupem na webovou stránku a s objednávkami on-line. Omlouváme se za vzniklé potíže.

POZOR: Změna bankovního účtu TME Czech Republic s.r.o.

Zde se dozvíte více

Kontaktujte svého zástupce u TME. Požádejte o schůzku.

NXV08A170DB2

Modul; tranzistor/tranzistor; 80V; 200A; APM12-CBA; THT; Ugs: ±20V

Výrobce: ONSEMI

Označení výrobce:
NXV08A170DB2
Symbol TME:
NXV08A170DB2

Specifikace

Výrobce
ONSEMI
Typ polovodičového modulu
tranzistorový MOSFET
Struktura polovodiče
tranzistor/tranzistor
Napětí drain-source
80V
Proud drainu
200A
Kryt
APM12-CBA
Topologie
polomůstek MOSFET
Elektrická montáž
THT
Odpor v sepnutém stavu
2,4mΩ
Napětí gate-source
±20V
Druh balení
blistr
Mechanická montáž
přišroubováním
Hmotnost brutto100 g
Certifikáty
Prohlédněte si ostatní výrobky z této kategorie: Transistor modules ONSEMI,
*
NXV08A170DB2
0 skladem v TME
Čistá cena pro množství od 288 ks - 13.38 EURHrubá cena pro množství od 288 ks - 16.19 EUR
Počet kusů (Násobnost: 288)