STGAP2SICD
IC: driver; budič SiC MOSFET; SO36-W; -4÷4A; 1,2kV; Ch: 2
Výrobce: STMicroelectronics
Označení výrobce:
STGAP2SICD
Symbol TME:
STGAP2SICD
Specifikace
Výrobce | STMicroelectronics | |
Typ integrovaného obvodu | driver | |
Druh integrovaného obvodu | budič SiC MOSFET | |
Kryt | SO36-W | |
Výstupní proud | -4...4A | |
Výstupní napětí | 1,2kV | |
Počet kanálů | 2 | |
Vlastnosti integrovaných obvodů | galvanické oddělení | |
Montáž | SMD | |
Pracovní teplota | -40...125°C | |
Druh balení | tuba |
Napájecí napětí
- 3,1...5,5V
Hmotnost brutto10 g
Certifikáty
Prohlédněte si ostatní výrobky z této kategorie: Drivery MOSFET/IGBT STMicroelectronics,
* STGAP2SICDPočet kusů (Násobnost: 1)
0 skladem v TME
Čistá cena pro množství od 1 ks - 4.43 USDHrubá cena pro množství od 1 ks - 5.36 USD
Čistá cena pro množství od 5 ks - 3.90 USDHrubá cena pro množství od 5 ks - 4.72 USD
Čistá cena pro množství od 16 ks - 3.59 USDHrubá cena pro množství od 16 ks - 4.34 USD
Čistá cena pro množství od 32 ks - 3.43 USDHrubá cena pro množství od 32 ks - 4.15 USD
Čistá cena pro množství od 96 ks - 3.29 USDHrubá cena pro množství od 96 ks - 3.99 USD
Čistá cena pro množství od 320 ks - 2.96 USDHrubá cena pro množství od 320 ks - 3.58 USD
Čistá cena pro množství od 1280 ks - 2.74 USDHrubá cena pro množství od 1280 ks - 3.32 USD
Čistá cena pro množství od 2400 ks - 2.53 USDHrubá cena pro množství od 2400 ks - 3.06 USD