STGAP2SICS
IC: driver; budič SiC MOSFET; SO8-W; -4÷4A; Ch: 1; 1MHz; 3,1÷5,5V
Výrobce: STMicroelectronics
Označení výrobce:
STGAP2SICS
Symbol TME:
STGAP2SICS
Specifikace
Výrobce | STMicroelectronics | |
Typ integrovaného obvodu | driver | |
Druh integrovaného obvodu | budič SiC MOSFET | |
Kryt | SO8-W | |
Výstupní proud | -4...4A | |
Počet kanálů | 1 | |
Vlastnosti integrovaných obvodů | galvanické oddělení | |
Montáž | SMD | |
Pracovní teplota | -40...125°C | |
Kmitočet | 1MHz |
Napájecí napětí
- 3,1...5,5V
Hmotnost brutto0.248 g
Certifikáty
Prohlédněte si ostatní výrobky z této kategorie: Drivery MOSFET/IGBT STMicroelectronics,
* STGAP2SICSPočet kusů (Násobnost: 1)
24 skladem v TME
Čistá cena pro množství od 1 ks - 62.99 CZKHrubá cena pro množství od 1 ks - 76.22 CZK
Čistá cena pro množství od 10 ks - 47.29 CZKHrubá cena pro množství od 10 ks - 57.21 CZK
Čistá cena pro množství od 25 ks - 42.94 CZKHrubá cena pro množství od 25 ks - 51.96 CZK
Čistá cena pro množství od 50 ks - 41.04 CZKHrubá cena pro množství od 50 ks - 49.67 CZK
Čistá cena pro množství od 80 ks - 39.82 CZKHrubá cena pro množství od 80 ks - 48.19 CZK
Čistá cena pro množství od 160 ks - 39.32 CZKHrubá cena pro množství od 160 ks - 47.58 CZK
Čistá cena pro množství od 320 ks - 38.38 CZKHrubá cena pro množství od 320 ks - 46.43 CZK
Způsob balení výrobcemTuba = 80 ks