STGAP2SICS
IC: driver; budič SiC MOSFET; SO8-W; -4÷4A; Ch: 1; 1MHz; 3,1÷5,5V
Výrobce: STMicroelectronics
Označení výrobce:
STGAP2SICS
Symbol TME:
STGAP2SICS
Specifikace
Výrobce | STMicroelectronics | |
Typ integrovaného obvodu | driver | |
Druh integrovaného obvodu | budič SiC MOSFET | |
Kryt | SO8-W | |
Výstupní proud | -4...4A | |
Počet kanálů | 1 | |
Vlastnosti integrovaných obvodů | galvanické oddělení | |
Montáž | SMD | |
Pracovní teplota | -40...125°C | |
Kmitočet | 1MHz |
Napájecí napětí
- 3,1...5,5V
Hmotnost brutto0.248 g
Certifikáty
Prohlédněte si ostatní výrobky z této kategorie: Drivery MOSFET/IGBT STMicroelectronics,
* STGAP2SICSPočet kusů (Násobnost: 1)
24 skladem v TME
Čistá cena pro množství od 1 ks - 3.05 USDHrubá cena pro množství od 1 ks - 3.70 USD
Čistá cena pro množství od 10 ks - 2.30 USDHrubá cena pro množství od 10 ks - 2.78 USD
Čistá cena pro množství od 25 ks - 2.08 USDHrubá cena pro množství od 25 ks - 2.52 USD
Čistá cena pro množství od 50 ks - 1.99 USDHrubá cena pro množství od 50 ks - 2.41 USD
Čistá cena pro množství od 80 ks - 1.93 USDHrubá cena pro množství od 80 ks - 2.34 USD
Čistá cena pro množství od 160 ks - 1.91 USDHrubá cena pro množství od 160 ks - 2.31 USD
Čistá cena pro množství od 320 ks - 1.86 USDHrubá cena pro množství od 320 ks - 2.25 USD
Způsob balení výrobcemTuba = 80 ks