STGAP2SICSCTR
IC: driver; budič SiC MOSFET; SO8-W; -4÷4A; 1,2kV; Ch: 1
Výrobce: STMicroelectronics
Označení výrobce:
STGAP2SICSCTR
Symbol TME:
STGAP2SICSCTR
Specifikace
Výrobce | STMicroelectronics | |
Typ integrovaného obvodu | driver | |
Druh integrovaného obvodu | budič SiC MOSFET | |
Kryt | SO8-W | |
Výstupní proud | -4...4A | |
Výstupní napětí | 1,2kV | |
Počet kanálů | 1 | |
Vlastnosti integrovaných obvodů | galvanické oddělení | |
Montáž | SMD | |
Pracovní teplota | -40...125°C | |
Druh balení | páska, role |
Napájecí napětí
- 3,1...5,5V
Hmotnost brutto1 g
Certifikáty
Prohlédněte si ostatní výrobky z této kategorie: Drivery MOSFET/IGBT STMicroelectronics,
* STGAP2SICSCTRPočet kusů (Násobnost: 1 000)
0 skladem v TME
Produkt na zvláštní objednávku