STGAP2SICSNC
IC: driver; budič SiC MOSFET; SO8; -4÷4A; 1,7kV; Ch: 1
Výrobce: STMicroelectronics
Označení výrobce:
STGAP2SICSNC
Symbol TME:
STGAP2SICSNC
Specifikace
Výrobce | STMicroelectronics | |
Typ integrovaného obvodu | driver | |
Druh integrovaného obvodu | budič SiC MOSFET | |
Kryt | SO8 | |
Výstupní proud | -4...4A | |
Výstupní napětí | 1,7kV | |
Počet kanálů | 1 | |
Vlastnosti integrovaných obvodů | galvanické oddělení | |
Montáž | SMD | |
Pracovní teplota | -40...125°C | |
Druh balení | tuba |
Napájecí napětí
- 3,1...5,5V
Hmotnost brutto10 g
Certifikáty
Prohlédněte si ostatní výrobky z této kategorie: Drivery MOSFET/IGBT STMicroelectronics,
* STGAP2SICSNCPočet kusů (Násobnost: 2 000)
0 skladem v TME
Čistá cena pro množství od 2000 ks - 2.07 USDHrubá cena pro množství od 2000 ks - 2.51 USD