STGAP2SICSTR
IC: driver; budič SiC MOSFET; SO8-W; -4÷4A; 1,2kV; Ch: 1
Výrobce: STMicroelectronics
Označení výrobce:
STGAP2SICSTR
Symbol TME:
STGAP2SICSTR
Specifikace
Výrobce | STMicroelectronics | |
Typ integrovaného obvodu | driver | |
Druh integrovaného obvodu | budič SiC MOSFET | |
Kryt | SO8-W | |
Výstupní proud | -4...4A | |
Výstupní napětí | 1,2kV | |
Počet kanálů | 1 | |
Vlastnosti integrovaných obvodů | galvanické oddělení | |
Montáž | SMD | |
Pracovní teplota | -40...125°C | |
Druh balení | páska, role |
Napájecí napětí
- 3,1...5,5V
Hmotnost brutto1 g
Certifikáty
Prohlédněte si ostatní výrobky z této kategorie: Drivery MOSFET/IGBT STMicroelectronics,
* STGAP2SICSTRPočet kusů (Násobnost: 1)
0 skladem v TME
Čistá cena pro množství od 1 ks - 5.55 USDHrubá cena pro množství od 1 ks - 6.72 USD
Čistá cena pro množství od 4 ks - 4.82 USDHrubá cena pro množství od 4 ks - 5.84 USD
Čistá cena pro množství od 10 ks - 4.33 USDHrubá cena pro množství od 10 ks - 5.24 USD
Čistá cena pro množství od 25 ks - 3.92 USDHrubá cena pro množství od 25 ks - 4.74 USD
Čistá cena pro množství od 50 ks - 3.69 USDHrubá cena pro množství od 50 ks - 4.46 USD
Čistá cena pro množství od 100 ks - 3.48 USDHrubá cena pro množství od 100 ks - 4.21 USD
Čistá cena pro množství od 250 ks - 3.21 USDHrubá cena pro množství od 250 ks - 3.88 USD
Čistá cena pro množství od 500 ks - 3.04 USDHrubá cena pro množství od 500 ks - 3.68 USD
Čistá cena pro množství od 1000 ks - 2.91 USDHrubá cena pro množství od 1000 ks - 3.52 USD
Čistá cena pro množství od 2000 ks - 2.81 USDHrubá cena pro množství od 2000 ks - 3.40 USD