STGP10M65DF2
Tranzistor: IGBT; 650V; 10A; 115W; TO220AB
Výrobce: STMicroelectronics
Označení výrobce:
STGP10M65DF2
Symbol TME:
STGP10M65DF2
Specifikace
Výrobce | STMicroelectronics | |
Typ tranzistoru | IGBT | |
Napětí kolektor-emitor | 650V | |
Proud kolektoru | 10A | |
Ztrátový výkon | 115W | |
Kryt | TO220AB | |
Napětí hradlo - emitor | ±20V | |
Impulsní proud kolektoru | 40A | |
Montáž | THT | |
Náboj hradla | 28nC | |
Druh balení | tuba | |
Vlastností polovodičových součástek | integrated anti-parallel diode |
Hmotnost brutto1.986 g
Certifikáty
Prohlédněte si ostatní výrobky z této kategorie: Tranzistory IGBT THT STMicroelectronics,
* STGP10M65DF2Počet kusů (Násobnost: 1)
150 skladem v TME
Čistá cena pro množství od 1 ks - 1.86 USDHrubá cena pro množství od 1 ks - 2.25 USD
Čistá cena pro množství od 10 ks - 1.21 USDHrubá cena pro množství od 10 ks - 1.46 USD
Čistá cena pro množství od 50 ks - 0.97 USDHrubá cena pro množství od 50 ks - 1.17 USD
Čistá cena pro množství od 100 ks - 0.93 USDHrubá cena pro množství od 100 ks - 1.13 USD
Způsob balení výrobcemTuba = 50 ks