STGP30M65DF2
Tranzistor: IGBT; 650V; 30A; 258W; TO220AB
Výrobce: STMicroelectronics
Označení výrobce:
STGP30M65DF2
Symbol TME:
STGP30M65DF2
Specifikace
Výrobce | STMicroelectronics | |
Typ tranzistoru | IGBT | |
Napětí kolektor-emitor | 650V | |
Proud kolektoru | 30A | |
Ztrátový výkon | 258W | |
Kryt | TO220AB | |
Napětí hradlo - emitor | ±20V | |
Impulsní proud kolektoru | 120A | |
Montáž | THT | |
Náboj hradla | 80nC | |
Druh balení | tuba | |
Vlastností polovodičových součástek | integrated anti-parallel diode |
Hmotnost brutto1.997 g
Certifikáty
Prohlédněte si ostatní výrobky z této kategorie: Tranzistory IGBT THT STMicroelectronics,
* STGP30M65DF2Počet kusů (Násobnost: 1)
189 skladem v TME
Čistá cena pro množství od 1 ks - 2.56 USDHrubá cena pro množství od 1 ks - 3.09 USD
Čistá cena pro množství od 3 ks - 2.30 USDHrubá cena pro množství od 3 ks - 2.79 USD
Čistá cena pro množství od 10 ks - 1.88 USDHrubá cena pro množství od 10 ks - 2.28 USD
Čistá cena pro množství od 50 ks - 1.42 USDHrubá cena pro množství od 50 ks - 1.71 USD
Čistá cena pro množství od 100 ks - 1.28 USDHrubá cena pro množství od 100 ks - 1.54 USD
Čistá cena pro množství od 150 ks - 1.24 USDHrubá cena pro množství od 150 ks - 1.50 USD
Způsob balení výrobcemTuba = 50 ks