+1 500 000 výrobků v nabídce

7000 každodenně balíků

+300 000 zákazníků ze 150 zemí

Volejte +420 596 633 105

Registrace

Quick Buy Oblíbené

POZOR: Změna bankovního účtu TME Czech Republic s.r.o.

Zde se dozvíte více

Kontaktujte svého zástupce u TME. Požádejte o schůzku.

Data se zpracovávají

Váš kreditní limit byl překročen. Objednávka bude přijata, ale nebude realizována. Nebude také stanoven harmonogram dodávek pro objednané položky. Kontaktujte zaměstnance TME.

Operace proběhla úspěšně.

Došlo k neočekávané chybě. Zkuste znovu.

Výrobce	STMicroelectronics
Typ polovodičového modulu	IGBT
Struktura polovodiče	tranzistor/tranzistor
Topologie	polomůstek IGBT
Max. závěrné napětí	650V
Proud kolektoru	68A
Kryt	ACEPACK SMIT
Elektrická montáž	SMT
Napětí hradlo - emitor	±20V
Impulsní proud kolektoru	269A
Ztrátový výkon	250W

STGSH80HB65DAG

Modul: IGBT; tranzistor/tranzistor; polomůstek IGBT; Urmax: 650V

Specifikace