+1 500 000 výrobků v nabídce
6000 každodenně balíků
+300 000 zákazníků ze 150 zemí
POZOR: Změna bankovního účtu TME Czech Republic s.r.o.
Zde se dozvíte víceKontaktujte svého zástupce u TME. Požádejte o schůzku.
Výrobce | IXYS | |
Typ polovodičového modulu | tranzistorový MOSFET | |
Struktura polovodiče | jeden tranzistor | |
Napětí drain-source | 100V | |
Proud drainu | 590A | |
Kryt | Y3-DCB | |
Elektrická montáž | konektory FASTON, přišroubováním | |
Polarizace | unipolární | |
Odpor v sepnutém stavu | 2,1mΩ | |
Impulsní proud kolektoru | 2,36kA | |
Ztrátový výkon | 2,2kW | |
Technologie | HiPerFET™ | |
Druh kanálu | obohacený | |
Náboj hradla | 2µC | |
Doba zotavení | 300ns | |
Napětí gate-source | ±20V | |
Vlastností polovodičových součástek | Kelvinovy vývody | |
Mechanická montáž | přišroubováním |