+1 500 000 toodet pakkumises

7000 iga päev välja saadetavat pakki

+300 000 klienti 150 riigis

Quick Buy Lemmikud
Ostukorv

Palun võtke ühendust oma turuesindajaga. Kutsuge meid veebikoosolekule.

B2M040120Z

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 51A; Idm: 128A; 348W

Tootja: BASiC SEMICONDUCTOR

Tootja tähistus:
B2M040120Z
TME Sümbol:
B2M040120Z

Spetsifikatsioon

Manufacturer
BASiC SEMICONDUCTOR
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
SiC
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
1,2kV
Drain current
51A
Pulsed drain current
128A
Power dissipation
348W
Case
TO247-4
Gate-source voltage
-4...18V
On-state resistance
40mΩ
Mounting
THT
Gate charge
90nC
Kind of package
tube
Kind of channel
enhancement
Features of semiconductor devices
Kelvin terminal
Brutomass1 g
Sertifikaadid

Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. on antud kaubamärgi maaletooja

Vaata selle kategooria ülejäänud tooteid: N-kanaliga transistorid THT BASiC SEMICONDUCTOR,
*
B2M040120Z
0 TME laos
Netohind koguste puhul alates 1 tk - 3.35 EURKoguste brutohind alates 1 tk - 4.15 EUR
Netohind koguste puhul alates 10 tk - 3.01 EURKoguste brutohind alates 10 tk - 3.74 EUR
Netohind koguste puhul alates 30 tk - 2.66 EURKoguste brutohind alates 30 tk - 3.30 EUR
Netohind koguste puhul alates 120 tk - 2.39 EURKoguste brutohind alates 120 tk - 2.97 EUR
Netohind koguste puhul alates 300 tk - 2.24 EURKoguste brutohind alates 300 tk - 2.77 EUR
Tükkide arv (Mitmekordsus: 1)