+1 500 000 toodet pakkumises

6000 iga päev välja saadetavat pakki

+300 000 klienti 150 riigis

Quick Buy Lemmikud
Ostukorv

Palun võtke ühendust oma turuesindajaga. Kutsuge meid veebikoosolekule.

B2M160120H

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 16A; Idm: 39A; 123W

Tootja: BASiC SEMICONDUCTOR

Tootja tähistus:
B2M160120H
TME Sümbol:
B2M160120H

Spetsifikatsioon

Manufacturer
BASiC SEMICONDUCTOR
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
SiC
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
1,2kV
Drain current
16A
Pulsed drain current
39A
Power dissipation
123W
Case
TO247-3
Gate-source voltage
-4...18V
On-state resistance
0,16Ω
Mounting
THT
Gate charge
26nC
Kind of package
tube
Kind of channel
enhancement
Brutomass1 g
Sertifikaadid

Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. on antud kaubamärgi maaletooja

Vaata selle kategooria ülejäänud tooteid: N-kanaliga transistorid THT BASiC SEMICONDUCTOR,
*
B2M160120H
0 TME laos
Netohind koguste puhul alates 1 tk - 1.44 EURKoguste brutohind alates 1 tk - 1.78 EUR
Netohind koguste puhul alates 10 tk - 1.29 EURKoguste brutohind alates 10 tk - 1.60 EUR
Netohind koguste puhul alates 30 tk - 1.14 EURKoguste brutohind alates 30 tk - 1.41 EUR
Netohind koguste puhul alates 120 tk - 1.02 EURKoguste brutohind alates 120 tk - 1.27 EUR
Netohind koguste puhul alates 300 tk - 0.96 EURKoguste brutohind alates 300 tk - 1.19 EUR
Tükkide arv (Mitmekordsus: 1)