+1 500 000 toodet pakkumises

7000 iga päev välja saadetavat pakki

+300 000 klienti 150 riigis

Quick Buy Lemmikud
Ostukorv

Palun võtke ühendust oma turuesindajaga. Kutsuge meid veebikoosolekule.

B3M040120H

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 45A; Idm: 124A; 312W

Tootja: BASiC SEMICONDUCTOR

Tootja tähistus:
B3M040120H
TME Sümbol:
B3M040120H

Spetsifikatsioon

Manufacturer
BASiC SEMICONDUCTOR
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
SiC
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
1,2kV
Drain current
45A
Pulsed drain current
124A
Power dissipation
312W
Case
TO247-3
Gate-source voltage
-4...18V
On-state resistance
40mΩ
Mounting
THT
Gate charge
85nC
Kind of package
tube
Kind of channel
enhancement
Brutomass6.12 g
Sertifikaadid

Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. on antud kaubamärgi maaletooja

Vaata selle kategooria ülejäänud tooteid: N-kanaliga transistorid THT BASiC SEMICONDUCTOR,
*
B3M040120H
148 TME laos
Netohind koguste puhul alates 1 tk - 2.39 EURKoguste brutohind alates 1 tk - 2.97 EUR
Netohind koguste puhul alates 10 tk - 2.15 EURKoguste brutohind alates 10 tk - 2.67 EUR
Netohind koguste puhul alates 30 tk - 1.90 EURKoguste brutohind alates 30 tk - 2.36 EUR
Netohind koguste puhul alates 120 tk - 1.71 EURKoguste brutohind alates 120 tk - 2.12 EUR
Netohind koguste puhul alates 300 tk - 1.60 EURKoguste brutohind alates 300 tk - 1.98 EUR
Tükkide arv (Mitmekordsus: 1)
Tootja pakendamismeetodTuub = 30 tk