+1 500 000 toodet pakkumises

7000 iga päev välja saadetavat pakki

+300 000 klienti 150 riigis

Quick Buy Lemmikud
Ostukorv

Palun võtke ühendust oma turuesindajaga. Kutsuge meid veebikoosolekule.

B3M040120Z

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 45A; Idm: 124A; 312W

Tootja: BASiC SEMICONDUCTOR

Tootja tähistus:
B3M040120Z
TME Sümbol:
B3M040120Z

Spetsifikatsioon

Manufacturer
BASiC SEMICONDUCTOR
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
SiC
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
1,2kV
Drain current
45A
Pulsed drain current
124A
Power dissipation
312W
Case
TO247-4
Gate-source voltage
-4...18V
On-state resistance
40mΩ
Mounting
THT
Gate charge
85nC
Kind of package
tube
Kind of channel
enhancement
Features of semiconductor devices
Kelvin terminal
Brutomass1 g
Sertifikaadid

Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. on antud kaubamärgi maaletooja

Vaata selle kategooria ülejäänud tooteid: N-kanaliga transistorid THT BASiC SEMICONDUCTOR,
*
B3M040120Z
0 TME laos
Netohind koguste puhul alates 1 tk - 2.54 EURKoguste brutohind alates 1 tk - 3.15 EUR
Netohind koguste puhul alates 10 tk - 2.29 EURKoguste brutohind alates 10 tk - 2.84 EUR
Netohind koguste puhul alates 30 tk - 2.02 EURKoguste brutohind alates 30 tk - 2.51 EUR
Netohind koguste puhul alates 120 tk - 1.81 EURKoguste brutohind alates 120 tk - 2.25 EUR
Netohind koguste puhul alates 300 tk - 1.69 EURKoguste brutohind alates 300 tk - 2.10 EUR
Tükkide arv (Mitmekordsus: 1)