+1 500 000 toodet pakkumises

6000 iga päev välja saadetavat pakki

+300 000 klienti 150 riigis

Quick Buy Lemmikud
Ostukorv

Palun võtke ühendust oma turuesindajaga. Kutsuge meid veebikoosolekule.

BGH50N65HF1

Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-3

Tootja: BASiC SEMICONDUCTOR

Tootja tähistus:
BGH50N65HF1
TME Sümbol:
BGH50N65HF1

Spetsifikatsioon

Manufacturer
BASiC SEMICONDUCTOR
Type of transistor
IGBT
Technology
Field Stop, SiC SBD, Trench
Collector-emitter voltage
650V
Collector current
50A
Power dissipation
357W
Case
TO247-3
Gate-emitter voltage
±20V
Pulsed collector current
200A
Mounting
THT
Gate charge
308nC
Kind of package
tube
Turn-on time
54ns
Turn-off time
256ns
Features of semiconductor devices
integrated anti-parallel diode
Brutomass6.245 g
Sertifikaadid

Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. on antud kaubamärgi maaletooja

Vaata selle kategooria ülejäänud tooteid: Transistorid IGBT THT BASiC SEMICONDUCTOR,
*
BGH50N65HF1
57 TME laos
Netohind koguste puhul alates 1 tk - 11.57 EURKoguste brutohind alates 1 tk - 14.35 EUR
Netohind koguste puhul alates 5 tk - 10.48 EURKoguste brutohind alates 5 tk - 12.99 EUR
Netohind koguste puhul alates 30 tk - 9.22 EURKoguste brutohind alates 30 tk - 11.43 EUR
Netohind koguste puhul alates 150 tk - 7.72 EURKoguste brutohind alates 150 tk - 9.58 EUR
Netohind koguste puhul alates 600 tk - 7.45 EURKoguste brutohind alates 600 tk - 9.24 EUR
Tükkide arv (Mitmekordsus: 1)
Tootja pakendamismeetodTuub = 30 tk