+1 500 000 toodet pakkumises
7000 iga päev välja saadetavat pakki
+300 000 klienti 150 riigis
Teatame, et kuupäeval 06.09.2026. ajavahemikus 08:00 - 11:00 (CEST) võib esineda probleeme juurdepääsuga teenusele ja on-line tellimisele. Vabandame ebamugavuste pärast.
Palun võtke ühendust oma turuesindajaga. Kutsuge meid veebikoosolekule.
Manufacturer | BASiC SEMICONDUCTOR | |
Type of transistor | IGBT | |
Technology | Field Stop, SiC SBD, Trench | |
Collector-emitter voltage | 650V | |
Collector current | 75A | |
Power dissipation | 405W | |
Case | TO247-3 | |
Gate-emitter voltage | ±20V | |
Pulsed collector current | 300A | |
Mounting | THT | |
Gate charge | 444nC | |
Kind of package | tube | |
Turn-on time | 104ns | |
Turn-off time | 376ns | |
Features of semiconductor devices | integrated anti-parallel diode |