A2C50S65M2
Moduuli: IGBT; diodi/transistori; boost chopper; Urmax: 650V; 208W
Valmistaja: STMicroelectronics
Tuottajan tunnus:
A2C50S65M2
TME:n Symboli:
A2C50S65M2
Tavaraseloste
Tuottaja | STMicroelectronics | ||
Puolijohdemoduulin tyyppi | IGBT | ||
Puolijohteen rakenne | diodi/transistori | ||
Topologia | 3-vaiheinen diodisilta, boost chopper, IGBT puolisilta x3, NTC termistori | ||
Max. estosuuntainen jännite | 650V | ||
Kollektorin sähkövirta | 50A | ||
Kotelo | ACEPACK™2 | ||
Sovellus | Invertterit, moottorit | ||
Sähköasennus | Press-in PCB | ||
Hila - emitteri jännite | ±20V | ||
Kollektorin sähkövirta impulssissa | 100A | ||
Sirontateho | 208W | ||
Mekaninen asennus | ruuvattu |
Bruttomassa50 g
Sertifikaatit
Katso muut tuotteet tästä kategoriasta: IGBT moduulit STMicroelectronics,
* A2C50S65M2Kappaleiden lukumäärä (Monikertaisuus: 1)
0 varastossa TME:ssä
Nettohinta seuraavien määrien osalta 1 pcs - 66.72 EURBruttohinta seuraaville määrille 1 pcs - 83.40 EUR