APT50GF120JRD
Moduuli: IGBT; yksittäinen transistori; Urmax: 1,2kV; Ic: 64A; NPT
Valmistaja: MICROCHIP TECHNOLOGY
Tuottajan tunnus:
APT50GF120JRD
TME:n Symboli:
APT50GF120JRD
Tavaraseloste
Tuottaja | MICROCHIP TECHNOLOGY | ||
Puolijohdemoduulin tyyppi | IGBT | ||
Puolijohteen rakenne | yksittäinen transistori | ||
Max. estosuuntainen jännite | 1,2kV | ||
Kollektorin sähkövirta | 64A | ||
Kotelo | SOT227B | ||
Sähköasennus | ruuvattu | ||
Hila - emitteri jännite | ±30V | ||
Kollektorin sähkövirta impulssissa | 225A | ||
Teknologia | NPT | ||
Pakkauksen laji | tuubi | ||
Mekaninen asennus | ruuvattu |
Bruttomassa30 g
Sertifikaatit
Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. on tämän merkin tuotteiden maahantuoja
Katso muut tuotteet tästä kategoriasta: IGBT moduulit MICROCHIP TECHNOLOGY
* APT50GF120JRDKäytä alla olevaa taulukkoa löytääksesi saman tyyppisiä tuotteita
Tuote on poistunut valikoimasta
Tarjous saatavilla kirjautuneille asiakkaille