+1 500 000 tuotetta valikoimassa

6000 pakettia päivässä

+300 000 asiakasta 150 maasta

Rekisteröidy

Tiedotamme, että päivänä 02.08.2026. kello 08:00 - 12:00 (CEST) saattaa esiintyä ongelmia, jotka liittyvät pääsyyn sivustoon sekä on-line tilauksin. Pahoittelemme vaikeuksia.

Ole hyvä ja ota yhteyttä markkinaedustajaasi. Kutsu meidät verkkotapaamiseen.

Tietoja käsitellään

Luottorajasi on ylitetty. Tilaus tulee olemaan hyväksytty, mutta sen suorittamista ei panna alkuun. Toimitusten aikataulua tilatuille tuotteille, ei myöskään määritetä. Ota yhteyttä TME:n työntekijään.

Toiminnan suorittamien onnistui.

Tapahtui odottamaton virhe. Yritä uudelleen.

Tuottaja	MICROCHIP TECHNOLOGY
Puolijohdemoduulin tyyppi	MOSFET transistori-
Puolijohteen rakenne	SiC-diodi/transistori
Nielu-lähde jännite	600V
Nielun sähkövirta	38A
Kotelo	SP1
Topologia	boost chopper, MOSFET puolisilta
Sähköasennus	Press-in PCB
Resistanssi johtumisen aikana	45mΩ
Nieluvirta impulssissa	130A
Sirontateho	250W
Teknologia	CoolMOS™, SiC
Hila-lähde jännite	±20V
Mekaninen asennus	ruuvattu

APTC60AM45BC1G

Moduuli; SiC-diodi/transistori; 600V; 38A; SP1; Press-in PCB; 250W

Tavaraseloste

Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. on tämän merkin tuotteiden maahantuoja