+1 500 000 tuotetta valikoimassa

6000 pakettia päivässä

+300 000 asiakasta 150 maasta

Tiedotamme, että päivänä 26.07.2026. kello 02:00 - 04:00 (CEST) saattaa esiintyä ongelmia, jotka liittyvät pääsyyn sivustoon sekä on-line tilauksin. Pahoittelemme vaikeuksia.

Ole hyvä ja ota yhteyttä markkinaedustajaasi. Kutsu meidät verkkotapaamiseen.

Tietoja käsitellään

Luottorajasi on ylitetty. Tilaus tulee olemaan hyväksytty, mutta sen suorittamista ei panna alkuun. Toimitusten aikataulua tilatuille tuotteille, ei myöskään määritetä. Ota yhteyttä TME:n työntekijään.

Toiminnan suorittamien onnistui.

Tapahtui odottamaton virhe. Yritä uudelleen.

Tuottaja	MICROCHIP TECHNOLOGY
Puolijohdemoduulin tyyppi	MOSFET / IGBT transistori-
Puolijohteen rakenne	transistori/transistori
Nielu-lähde jännite	600V
Nielun sähkövirta	38A
Kotelo	SP3
Topologia	H silta, NTC termistori
Sähköasennus	Press-in PCB
Resistanssi johtumisen aikana	45mΩ
Nieluvirta impulssissa	130A
Sirontateho	290W
Teknologia	Field Stop, SJ-MOSFET, Trench
Hila-lähde jännite	±20V
Mekaninen asennus	ruuvattu
Kollektorin sähkövirta	50A

APTCV50H60T3G

Moduuli; transistori/transistori; 600V; 38A; SP3; Press-in PCB

Tavaraseloste

Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. on tämän merkin tuotteiden maahantuoja