+1 500 000 tuotetta valikoimassa

7000 pakettia päivässä

+300 000 asiakasta 150 maasta

Rekisteröidy

Tiedotamme, että päivänä 20.09.2026. kello 09.00 - 12:00 (CEST) saattaa esiintyä ongelmia, jotka liittyvät pääsyyn sivustoon sekä on-line tilauksin. Pahoittelemme vaikeuksia.

Ole hyvä ja ota yhteyttä markkinaedustajaasi. Kutsu meidät verkkotapaamiseen.

Tietoja käsitellään

Luottorajasi on ylitetty. Tilaus tulee olemaan hyväksytty, mutta sen suorittamista ei panna alkuun. Toimitusten aikataulua tilatuille tuotteille, ei myöskään määritetä. Ota yhteyttä TME:n työntekijään.

Toiminnan suorittamien onnistui.

Tapahtui odottamaton virhe. Yritä uudelleen.

Tuottaja	MICROCHIP TECHNOLOGY
Puolijohdemoduulin tyyppi	MOSFET transistori-
Puolijohteen rakenne	diodi/transistori
Nielu-lähde jännite	100V
Nielun sähkövirta	207A
Kotelo	SP6C
Topologia	epäsymmetrinen silta
Sähköasennus	FASTON yhdistimet, ruuvattu
Resistanssi johtumisen aikana	5mΩ
Nieluvirta impulssissa	1100A
Sirontateho	780W
Teknologia	POWER MOS 5®
Hila-lähde jännite	±30V
Mekaninen asennus	ruuvattu

APTM10DHM05G

Moduuli; diodi/transistori; 100V; 207A; SP6C; Idm: 1100A; 780W

Tavaraseloste

Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. on tämän merkin tuotteiden maahantuoja