APTM120U10SCAVG
Moduuli; SiC-diodi/transistori; 1,2kV; 86A; SP6; ruuvattu; 3,29kW
Valmistaja: MICROCHIP TECHNOLOGY
Tuottajan tunnus:
APTM120U10SCAVG
TME:n Symboli:
APTM120U10SCAVG
Tavaraseloste
Tuottaja | MICROCHIP TECHNOLOGY | |
Puolijohdemoduulin tyyppi | MOSFET transistori- | |
Puolijohteen rakenne | SiC-diodi/transistori | |
Nielu-lähde jännite | 1,2kV | |
Nielun sähkövirta | 86A | |
Kotelo | SP6 | |
Topologia | yksittäinen transistori + sarjadiodi + rinnakkaisdiodi | |
Sähköasennus | ruuvattu | |
Resistanssi johtumisen aikana | 0,12Ω | |
Nieluvirta impulssissa | 464A | |
Sirontateho | 3,29kW | |
Teknologia | POWER MOS 7®, SiC | |
Hila-lähde jännite | ±30V | |
Mekaninen asennus | ruuvattu |
Bruttomassa300 g
Sertifikaatit
Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. on tämän merkin tuotteiden maahantuoja
Katso muut tuotteet tästä kategoriasta: Transistor modules MICROCHIP TECHNOLOGY,
* APTM120U10SCAVGKappaleiden lukumäärä (Monikertaisuus: 3)
0 varastossa TME:ssä
Nettohinta seuraavien määrien osalta 3 pcs - 271.58 EURBruttohinta seuraaville määrille 3 pcs - 339.47 EUR
Tarjous saatavilla kirjautuneille asiakkaille