B2M600170R
Transistori: N-MOSFET; SiC; uni-polaarinen; 1,7kV; 4A; Idm: 10A; 60W
Valmistaja: BASiC SEMICONDUCTOR
Tuottajan tunnus:
B2M600170R
TME:n Symboli:
B2M600170R
Tavaraseloste
Tuottaja | BASiC SEMICONDUCTOR | |
Transistorin tyyppi | N-MOSFET | |
Teknologia | SiC | |
Polarisaatio | uni-polaarinen | |
Nielu-lähde jännite | 1,7kV | |
Nielun sähkövirta | 4A | |
Nieluvirta impulssissa | 10A | |
Sirontateho | 60W | |
Kotelo | TO263-7 | |
Hila-lähde jännite | -4...18V | |
Resistanssi johtumisen aikana | 0,6Ω | |
Asennus | SMD | |
Hilan sähkövaraus | 14nC | |
Pakkauksen laji | rulla, teippi | |
Kanaalin laji | avaustila | |
Puolijohde-elementtien ominaisuudet | Kelvin lähtö |
Bruttomassa1 g
Sertifikaatit
Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. on tämän merkin tuotteiden maahantuoja
Katso muut tuotteet tästä kategoriasta: SMD N-kanavaiset transistorit BASiC SEMICONDUCTOR,
* B2M600170RKappaleiden lukumäärä (Monikertaisuus: 800)
0 varastossa TME:ssä
Nettohinta seuraavien määrien osalta 800 pcs - 2.00 EURBruttohinta seuraaville määrille 800 pcs - 2.49 EUR