+1 500 000 tuotetta valikoimassa

7000 pakettia päivässä

+300 000 asiakasta 150 maasta

Quick Buy Suosikit
Ostoskori

Ole hyvä ja ota yhteyttä markkinaedustajaasi. Kutsu meidät verkkotapaamiseen.

GD100MLX65L3S

Moduuli: IGBT; diodi/transistori; Urmax: 650V; Ic: 100A; L3.1

Tuoteperhe

Valmistaja: STARPOWER SEMICONDUCTOR

Tuottajan tunnus:
GD100MLX65L3S
TME:n Symboli:
GD100MLX65L3S

Tavaraseloste

Tuottaja
STARPOWER SEMICONDUCTOR
Puolijohdemoduulin tyyppi
IGBT
Puolijohteen rakenne
diodi/transistori
Topologia
3-tasoinen, 1-vaiheinen vaihtosuuntaaja, NTC termistori
Max. estosuuntainen jännite
650V
Kollektorin sähkövirta
100A
Kotelo
L3.1
Sähköasennus
Press-in PCB
Hila - emitteri jännite
±20V
Kollektorin sähkövirta impulssissa
200A
Teknologia
Trench FS IGBT
Mekaninen asennus
ruuvattu
Bruttomassa39 g
Sertifikaatit
Katso muut tuotteet tästä kategoriasta: IGBT moduulit STARPOWER SEMICONDUCTOR,
*
GD100MLX65L3S
0 varastossa TME:ssä
Kappaleiden lukumäärä (Monikertaisuus: 16)
Pienin määrä, jota on mahdollista tilata: 16.
Monikertaisuus: 16.
Tuote erikoistilauksesta