+1 500 000 tuotetta valikoimassa

7000 pakettia päivässä

+300 000 asiakasta 150 maasta

Quick Buy Suosikit
Ostoskori

Ole hyvä ja ota yhteyttä markkinaedustajaasi. Kutsu meidät verkkotapaamiseen.

GD200HFX65C8S

Moduuli: IGBT; transistori/transistori; IGBT puolisilta; Ic: 200A

Tuoteperhe

Valmistaja: STARPOWER SEMICONDUCTOR

Tuottajan tunnus:
GD200HFX65C8S
TME:n Symboli:
GD200HFX65C8S

Tavaraseloste

Tuottaja
STARPOWER SEMICONDUCTOR
Puolijohdemoduulin tyyppi
IGBT
Puolijohteen rakenne
transistori/transistori
Topologia
IGBT puolisilta
Max. estosuuntainen jännite
650V
Kollektorin sähkövirta
200A
Kotelo
C8 48mm
Sähköasennus
FASTON yhdistimet, ruuvattu
Hila - emitteri jännite
±20V
Kollektorin sähkövirta impulssissa
400A
Teknologia
Trench FS IGBT
Mekaninen asennus
ruuvattu
Bruttomassa200 g
Sertifikaatit
Katso muut tuotteet tästä kategoriasta: IGBT moduulit STARPOWER SEMICONDUCTOR,
*
GD200HFX65C8S
0 varastossa TME:ssä
Kappaleiden lukumäärä (Monikertaisuus: 16)
Pienin määrä, jota on mahdollista tilata: 16.
Monikertaisuus: 16.
Tuote erikoistilauksesta