IXFN102N30P
Moduuli; yksittäinen transistori; 300V; 86A; SOT227B; ruuvattu
Valmistaja: IXYS
Tuottajan tunnus:
IXFN102N30P
TME:n Symboli:
IXFN102N30P
Tavaraseloste
Tuottaja | IXYS | |
Puolijohdemoduulin tyyppi | MOSFET transistori- | |
Puolijohteen rakenne | yksittäinen transistori | |
Nielu-lähde jännite | 300V | |
Nielun sähkövirta | 86A | |
Kotelo | SOT227B | |
Sähköasennus | ruuvattu | |
Polarisaatio | uni-polaarinen | |
Resistanssi johtumisen aikana | 33mΩ | |
Nieluvirta impulssissa | 250A | |
Sirontateho | 570W | |
Teknologia | HiPerFET™, Polar™ | |
Kanaalin laji | avaustila | |
Hilan sähkövaraus | 224nC | |
Valmiusaika | 200ns | |
Hila-lähde jännite | ±30V | |
Mekaninen asennus | ruuvattu |
Bruttomassa36.99 g
Sertifikaatit
Katso muut tuotteet tästä kategoriasta: Transistor modules IXYS,
* IXFN102N30PKappaleiden lukumäärä (Monikertaisuus: 1)
0 varastossa TME:ssä
Nettohinta seuraavien määrien osalta 1 pcs - 27.86 USDBruttohinta seuraaville määrille 1 pcs - 34.83 USD
Nettohinta seuraavien määrien osalta 2 pcs - 26.62 USDBruttohinta seuraaville määrille 2 pcs - 33.27 USD
Nettohinta seuraavien määrien osalta 3 pcs - 25.52 USDBruttohinta seuraaville määrille 3 pcs - 31.90 USD
Nettohinta seuraavien määrien osalta 5 pcs - 23.70 USDBruttohinta seuraaville määrille 5 pcs - 29.63 USD
Nettohinta seuraavien määrien osalta 10 pcs - 22.36 USDBruttohinta seuraaville määrille 10 pcs - 27.95 USD