IXFN170N30P
Moduuli; yksittäinen transistori; 300V; 138A; SOT227B; ruuvattu
Valmistaja: IXYS
Tuottajan tunnus:
IXFN170N30P
TME:n Symboli:
IXFN170N30P
Tavaraseloste
Tuottaja | IXYS | |
Puolijohdemoduulin tyyppi | MOSFET transistori- | |
Puolijohteen rakenne | yksittäinen transistori | |
Nielu-lähde jännite | 300V | |
Nielun sähkövirta | 138A | |
Kotelo | SOT227B | |
Sähköasennus | ruuvattu | |
Polarisaatio | uni-polaarinen | |
Resistanssi johtumisen aikana | 18mΩ | |
Nieluvirta impulssissa | 500A | |
Sirontateho | 890W | |
Teknologia | HiPerFET™, Polar™ | |
Kanaalin laji | avaustila | |
Hilan sähkövaraus | 258nC | |
Valmiusaika | 200ns | |
Hila-lähde jännite | ±30V | |
Mekaninen asennus | ruuvattu |
Bruttomassa29.8 g
Sertifikaatit
Katso muut tuotteet tästä kategoriasta: Transistor modules IXYS,
* IXFN170N30PKappaleiden lukumäärä (Monikertaisuus: 1)
0 varastossa TME:ssä
Nettohinta seuraavien määrien osalta 1 pcs - 38.81 EURBruttohinta seuraaville määrille 1 pcs - 48.51 EUR
Nettohinta seuraavien määrien osalta 3 pcs - 37.61 EURBruttohinta seuraaville määrille 3 pcs - 47.00 EUR
Nettohinta seuraavien määrien osalta 10 pcs - 35.10 EURBruttohinta seuraaville määrille 10 pcs - 43.88 EUR
Valmistajan pakkaustapaTuubi = 10 pcs