IXFN20N120P
Moduuli; yksittäinen transistori; 1,2kV; 20A; SOT227B; ruuvattu
Valmistaja: IXYS
Tuottajan tunnus:
IXFN20N120P
TME:n Symboli:
IXFN20N120P
Tavaraseloste
Tuottaja | IXYS | |
Puolijohdemoduulin tyyppi | MOSFET transistori- | |
Puolijohteen rakenne | yksittäinen transistori | |
Nielu-lähde jännite | 1,2kV | |
Nielun sähkövirta | 20A | |
Kotelo | SOT227B | |
Sähköasennus | ruuvattu | |
Polarisaatio | uni-polaarinen | |
Resistanssi johtumisen aikana | 570mΩ | |
Nieluvirta impulssissa | 50A | |
Sirontateho | 595W | |
Teknologia | HiPerFET™, Polar™ | |
Kanaalin laji | avaustila | |
Hilan sähkövaraus | 193nC | |
Valmiusaika | 300ns | |
Hila-lähde jännite | ±40V | |
Mekaninen asennus | ruuvattu |
Bruttomassa37.11 g
Sertifikaatit
Katso muut tuotteet tästä kategoriasta: Transistor modules IXYS,
* IXFN20N120PKappaleiden lukumäärä (Monikertaisuus: 1)
17 varastossa TME:ssä
Nettohinta seuraavien määrien osalta 1 pcs - 13.88 EURBruttohinta seuraaville määrille 1 pcs - 17.35 EUR
Nettohinta seuraavien määrien osalta 3 pcs - 13.24 EURBruttohinta seuraaville määrille 3 pcs - 16.54 EUR
Nettohinta seuraavien määrien osalta 10 pcs - 13.20 EURBruttohinta seuraaville määrille 10 pcs - 16.50 EUR
Tuote on saatavilla vain kunnes varastoa riittää
Valmistajan pakkaustapaTuubi = 10 pcs