IXFN210N20P
Moduuli; yksittäinen transistori; 200V; 188A; SOT227B; ruuvattu
Valmistaja: IXYS
Tuottajan tunnus:
IXFN210N20P
TME:n Symboli:
IXFN210N20P
Tavaraseloste
Tuottaja | IXYS | |
Puolijohdemoduulin tyyppi | MOSFET transistori- | |
Puolijohteen rakenne | yksittäinen transistori | |
Nielu-lähde jännite | 200V | |
Nielun sähkövirta | 188A | |
Kotelo | SOT227B | |
Sähköasennus | ruuvattu | |
Polarisaatio | uni-polaarinen | |
Resistanssi johtumisen aikana | 10,5mΩ | |
Nieluvirta impulssissa | 600A | |
Sirontateho | 1,07kW | |
Teknologia | HiPerFET™, Polar™ | |
Kanaalin laji | avaustila | |
Hilan sähkövaraus | 255nC | |
Valmiusaika | 200ns | |
Hila-lähde jännite | ±30V | |
Mekaninen asennus | ruuvattu |
Bruttomassa37.01 g
Sertifikaatit
Katso muut tuotteet tästä kategoriasta: Transistor modules IXYS,
* IXFN210N20P
121 varastossa TME:ssä
Kappaleiden lukumäärä (Monikertaisuus: 1)
Nettohinta seuraavien määrien osalta 1 pcs - 40.38 EURBruttohinta seuraaville määrille 1 pcs - 50.47 EUR
Nettohinta seuraavien määrien osalta 10 pcs - 36.30 EURBruttohinta seuraaville määrille 10 pcs - 45.38 EUR
Nettohinta seuraavien määrien osalta 20 pcs - 34.00 EURBruttohinta seuraaville määrille 20 pcs - 42.50 EUR
Nettohinta seuraavien määrien osalta 50 pcs - 32.06 EURBruttohinta seuraaville määrille 50 pcs - 40.08 EUR
Valmistajan pakkaustapa:Tuubi = 10 pcs