IXFN32N100P

Name: IXYS IXFN32N100P
Brand: IXYS
SKU: IXFN32N100P
Availability: OutOfStock

Moduuli; yksittäinen transistori; 1kV; 27A; SOT227B; ruuvattu

Valmistaja: IXYS

Tuottajan tunnus:

IXFN32N100P

TME:n Symboli:

IXFN32N100P

Kappaleiden lukumäärä (Monikertaisuus: 1)

Pienin määrä, jota on mahdollista tilata: 1.
Monikertaisuus: 1.

Nettohinta seuraavien määrien osalta 1 pcs - 34.99 EURBruttohinta seuraaville määrille 1 pcs - 43.74 EUR

Nettohinta seuraavien määrien osalta 3 pcs - 33.37 EURBruttohinta seuraaville määrille 3 pcs - 41.71 EUR

Nettohinta seuraavien määrien osalta 10 pcs - 29.71 EURBruttohinta seuraaville määrille 10 pcs - 37.13 EUR

Nettohinta seuraavien määrien osalta 20 pcs - 27.45 EURBruttohinta seuraaville määrille 20 pcs - 34.31 EUR

Nettohinta seuraavien määrien osalta 30 pcs - 26.81 EURBruttohinta seuraaville määrille 30 pcs - 33.51 EUR

Nettohinta seuraavien määrien osalta 50 pcs - 26.45 EURBruttohinta seuraaville määrille 50 pcs - 33.06 EUR

Valmistajan pakkaustapa:Tuubi = 10 pcs

Tuottaja	IXYS
Puolijohdemoduulin tyyppi	MOSFET transistori-
Puolijohteen rakenne	yksittäinen transistori
Nielu-lähde jännite	1kV
Nielun sähkövirta	27A
Kotelo	SOT227B
Sähköasennus	ruuvattu
Polarisaatio	uni-polaarinen
Resistanssi johtumisen aikana	0,32Ω
Nieluvirta impulssissa	75A
Sirontateho	690W
Teknologia	HiPerFET™, Polar™
Kanaalin laji	avaustila
Hilan sähkövaraus	225nC
Valmiusaika	300ns
Hila-lähde jännite	±40V
Mekaninen asennus	ruuvattu