IXFN32N80P
Moduuli; yksittäinen transistori; 800V; 29A; SOT227B; ruuvattu
Valmistaja: IXYS
Tuottajan tunnus:
IXFN32N80P
TME:n Symboli:
IXFN32N80P
Tavaraseloste
Tuottaja | IXYS | |
Puolijohdemoduulin tyyppi | MOSFET transistori- | |
Puolijohteen rakenne | yksittäinen transistori | |
Nielu-lähde jännite | 800V | |
Nielun sähkövirta | 29A | |
Kotelo | SOT227B | |
Sähköasennus | ruuvattu | |
Polarisaatio | uni-polaarinen | |
Resistanssi johtumisen aikana | 0,27Ω | |
Nieluvirta impulssissa | 250A | |
Sirontateho | 625W | |
Teknologia | HiPerFET™, PolarHV™ | |
Kanaalin laji | avaustila | |
Hilan sähkövaraus | 150nC | |
Valmiusaika | 250ns | |
Hila-lähde jännite | ±40V | |
Mekaninen asennus | ruuvattu |
Bruttomassa36.98 g
Sertifikaatit
Katso muut tuotteet tästä kategoriasta: Transistor modules IXYS,
* IXFN32N80PKappaleiden lukumäärä (Monikertaisuus: 1)
0 varastossa TME:ssä
Nettohinta seuraavien määrien osalta 1 pcs - 29.51 EURBruttohinta seuraaville määrille 1 pcs - 36.88 EUR
Nettohinta seuraavien määrien osalta 3 pcs - 26.60 EURBruttohinta seuraaville määrille 3 pcs - 33.25 EUR
Nettohinta seuraavien määrien osalta 10 pcs - 23.40 EURBruttohinta seuraaville määrille 10 pcs - 29.25 EUR
Valmistajan pakkaustapaTuubi = 10 pcs