IXFN40N110P
Moduuli; yksittäinen transistori; 1,1kV; 34A; SOT227B; ruuvattu
Valmistaja: IXYS
Tuottajan tunnus:
IXFN40N110P
TME:n Symboli:
IXFN40N110P
Tavaraseloste
Tuottaja | IXYS | |
Puolijohdemoduulin tyyppi | MOSFET transistori- | |
Puolijohteen rakenne | yksittäinen transistori | |
Nielu-lähde jännite | 1,1kV | |
Nielun sähkövirta | 34A | |
Kotelo | SOT227B | |
Sähköasennus | ruuvattu | |
Polarisaatio | uni-polaarinen | |
Resistanssi johtumisen aikana | 0,26Ω | |
Nieluvirta impulssissa | 100A | |
Sirontateho | 890W | |
Teknologia | HiPerFET™, Polar™ | |
Kanaalin laji | avaustila | |
Hilan sähkövaraus | 310nC | |
Valmiusaika | 300ns | |
Hila-lähde jännite | ±40V | |
Mekaninen asennus | ruuvattu |
Bruttomassa35.8 g
Sertifikaatit
Katso muut tuotteet tästä kategoriasta: Transistor modules IXYS,
* IXFN40N110PKappaleiden lukumäärä (Monikertaisuus: 1)
1 varastossa TME:ssä
Nettohinta seuraavien määrien osalta 1 pcs - 26.34 USDBruttohinta seuraaville määrille 1 pcs - 32.93 USD
Tuote on saatavilla vain kunnes varastoa riittää
Valmistajan pakkaustapaTuubi = 10 pcs