IXFN55N50
Moduuli; yksittäinen transistori; 500V; 55A; SOT227B; ruuvattu
Valmistaja: IXYS
Tuottajan tunnus:
IXFN55N50
TME:n Symboli:
IXFN55N50
Tavaraseloste
Tuottaja | IXYS | |
Puolijohdemoduulin tyyppi | MOSFET transistori- | |
Puolijohteen rakenne | yksittäinen transistori | |
Nielu-lähde jännite | 500V | |
Nielun sähkövirta | 55A | |
Kotelo | SOT227B | |
Sähköasennus | ruuvattu | |
Polarisaatio | uni-polaarinen | |
Resistanssi johtumisen aikana | 80mΩ | |
Nieluvirta impulssissa | 220A | |
Sirontateho | 625W | |
Teknologia | HiPerFET™ | |
Kanaalin laji | avaustila | |
Hilan sähkövaraus | 330nC | |
Valmiusaika | 250ns | |
Hila-lähde jännite | ±40V | |
Mekaninen asennus | ruuvattu |
Bruttomassa36.7 g
Sertifikaatit
Katso muut tuotteet tästä kategoriasta: Transistor modules IXYS,
* IXFN55N50Kappaleiden lukumäärä (Monikertaisuus: 300)
0 varastossa TME:ssä
Nettohinta seuraavien määrien osalta 300 pcs - 29.59 EURBruttohinta seuraaville määrille 300 pcs - 36.99 EUR