IXFN60N80P
Moduuli; yksittäinen transistori; 800V; 53A; SOT227B; ruuvattu
Valmistaja: IXYS
Tuottajan tunnus:
IXFN60N80P
TME:n Symboli:
IXFN60N80P
Tavaraseloste
Tuottaja | IXYS | |
Puolijohdemoduulin tyyppi | MOSFET transistori- | |
Puolijohteen rakenne | yksittäinen transistori | |
Nielu-lähde jännite | 800V | |
Nielun sähkövirta | 53A | |
Kotelo | SOT227B | |
Sähköasennus | ruuvattu | |
Polarisaatio | uni-polaarinen | |
Resistanssi johtumisen aikana | 0,14Ω | |
Nieluvirta impulssissa | 150A | |
Sirontateho | 1,04kW | |
Teknologia | HiPerFET™, Polar™ | |
Kanaalin laji | avaustila | |
Hilan sähkövaraus | 250nC | |
Valmiusaika | 250ns | |
Hila-lähde jännite | ±30V | |
Mekaninen asennus | ruuvattu |
Bruttomassa37.31 g
Sertifikaatit
Katso muut tuotteet tästä kategoriasta: Transistor modules IXYS,
* IXFN60N80PKappaleiden lukumäärä (Monikertaisuus: 1)
0 varastossa TME:ssä
Nettohinta seuraavien määrien osalta 1 pcs - 45.99 USDBruttohinta seuraaville määrille 1 pcs - 57.49 USD
Nettohinta seuraavien määrien osalta 2 pcs - 44.26 USDBruttohinta seuraaville määrille 2 pcs - 55.33 USD
Nettohinta seuraavien määrien osalta 3 pcs - 42.64 USDBruttohinta seuraaville määrille 3 pcs - 53.30 USD
Nettohinta seuraavien määrien osalta 5 pcs - 41.26 USDBruttohinta seuraaville määrille 5 pcs - 51.57 USD
Valmistajan pakkaustapaTuubi = 10 pcs