UUTUUS
IXFN70N100X
Moduuli; 1kV; 65A; SOT227B; 1,2kW; HiPerFET™; 310ns; ruuvattu
Valmistaja: IXYS
Tuottajan tunnus:
IXFN70N100X
TME:n Symboli:
IXFN70N100X
Tavaraseloste
Tuottaja | IXYS | |
Puolijohdemoduulin tyyppi | MOSFET transistori- | |
Nielu-lähde jännite | 1kV | |
Nielun sähkövirta | 65A | |
Kotelo | SOT227B | |
Resistanssi johtumisen aikana | 89mΩ | |
Sirontateho | 1,2kW | |
Teknologia | HiPerFET™ | |
Valmiusaika | 310ns | |
Mekaninen asennus | ruuvattu |
Bruttomassa1 g
Sertifikaatit
Katso muut tuotteet tästä kategoriasta: Transistor modules IXYS,
* IXFN70N100XKappaleiden lukumäärä (Monikertaisuus: 300)
0 varastossa TME:ssä
Nettohinta seuraavien määrien osalta 300 pcs - 52.00 EURBruttohinta seuraaville määrille 300 pcs - 65.00 EUR