IXFN82N60P
Moduuli; yksittäinen transistori; 600V; 72A; SOT227B; ruuvattu
Valmistaja: IXYS
Tuottajan tunnus:
IXFN82N60P
TME:n Symboli:
IXFN82N60P
Tavaraseloste
Tuottaja | IXYS | |
Puolijohdemoduulin tyyppi | MOSFET transistori- | |
Puolijohteen rakenne | yksittäinen transistori | |
Nielu-lähde jännite | 600V | |
Nielun sähkövirta | 72A | |
Kotelo | SOT227B | |
Sähköasennus | ruuvattu | |
Polarisaatio | uni-polaarinen | |
Resistanssi johtumisen aikana | 75mΩ | |
Nieluvirta impulssissa | 200A | |
Sirontateho | 1,04kW | |
Teknologia | HiPerFET™, Polar™ | |
Kanaalin laji | avaustila | |
Hilan sähkövaraus | 240nC | |
Valmiusaika | 200ns | |
Hila-lähde jännite | ±40V | |
Mekaninen asennus | ruuvattu |
Bruttomassa29.69 g
Sertifikaatit
Katso muut tuotteet tästä kategoriasta: Transistor modules IXYS,
* IXFN82N60PKappaleiden lukumäärä (Monikertaisuus: 1)
0 varastossa TME:ssä
Nettohinta seuraavien määrien osalta 1 pcs - 37.05 EURBruttohinta seuraaville määrille 1 pcs - 46.32 EUR
Nettohinta seuraavien määrien osalta 10 pcs - 30.36 EURBruttohinta seuraaville määrille 10 pcs - 37.95 EUR
Nettohinta seuraavien määrien osalta 100 pcs - 28.46 EURBruttohinta seuraaville määrille 100 pcs - 35.57 EUR
Valmistajan pakkaustapaTuubi = 10 pcs